主要功能

設備主打多功能薄膜材料制備，適配多種金屬薄膜、氧化物薄膜、復合功能薄膜及半導體薄膜的沉積制備工作。依托磁控濺射沉積工藝，可完成高精度薄膜生長、多層膜堆疊制備、薄膜改性優化等實驗作業，能夠滿足新材料研發、半導體器件制備、功能性涂層開發等不同科研場景，適配高校實驗室、科研院所及企業研發部門的多樣化薄膜制備需求。

技術指標

濺射靶位：設備配置 3 組標準化 4 英寸專用濺射靶槍，布局科學合理，支持單靶獨立濺射、多靶共濺射、交替濺射等多種工作模式，可搭配各類金屬靶材、合金靶材、陶瓷氧化物靶材，靈活實現單層薄膜與多元復合薄膜的制備，工藝選擇豐富。

樣品承載平臺：搭載高性能可旋轉式樣品承載臺，兼容多規格實驗襯底；單次實驗可放置最大 8 英寸整片襯底基片，亦可同時裝載 4 片 4 英寸襯底基片。樣品臺自帶勻速旋轉調控功能，能夠有效優化腔內氣流分布與薄膜沉積均勻性，規避薄膜厚薄偏差問題，大幅提升成品薄膜整體平整度與一致性。

加熱系統：內置一體化恒溫加熱模塊，樣品最高加熱溫度可達 500℃，支持梯度升溫、恒溫保溫、自然降溫等多種溫控模式。設備可按需配套專屬功能拓展模塊，適配高溫退火、原位加熱沉積等特殊工藝，滿足熱敏材料、高溫制備型薄膜的實驗生產需求。

工藝供氣系統：配備 3 路獨立可控工藝氣體通道，支持氬氣、氮氣、氫氣等常見高純工藝氣體，可根據實驗需求自由切換、配比混合氣體；氣體流量精準可控，適配惰性氣氛、還原氣氛、氧化氣氛等不同沉積工況。

真空性能：腔體采用高密封性一體化結構，搭配高精密真空機組，設備極限真空性能優于 5×10??Pa；可快速完成腔體抽真空作業，有效隔絕空氣雜質、水汽對薄膜沉積的影響，保障薄膜沉積純度，適配高精密、低雜質要求的薄膜制備實驗。